저자: 미상 · 한국인
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엔비디아가 HBM4 데이터 전송 속도 기준을 9Gbps에서 10Gbps로 올리면서 마이크론이 성능 기준 충족에 어려움을 겪는 반면, 삼성전자는 6세대 1c 공정 적용과 로직 다이 자체 4나노 공정으로 반사이익이 기대된다는 내용. GF증권은 삼성 공정 수율 70% 이상, 2026년 1월 인증 가능성 전망. 삼성은 평택 P4 라인 투자로 2025년 하반기부터 월 5만 개 생산 능력 확보 계획(CLSA). 마이크론은 HBM 투자 속도 조절 중이라는 분석.
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HBM4 경쟁 판도 변화: 삼성전자 입지 강화 전망
다음 소식은 삼성전자의 HBM4 입지 강화에 대해서 들려 드리겠습니다. 차세대 인공지능 반도체 경쟁의 핵심으로 떠오른 HBM4, 즉 6세대 고대역폭 메모리 시장에서 판도가 바뀌고 있다고 하는데요. 관련 내용을 더 자세히 알아보겠습니다.
세계 3대 메모리 반도체 업체 가운데 한 축을 담당하는 미국의 마이크론이 엔비디아의 까다로운 성능 요구를 충족하지 못해 어려움을 겪고 있는 반면, 삼성전자는 반사 이익을 누리며 내년 시장 입지를 확대할 것이라는 전망이 나오고 있습니다. 14일 반도체 업계 취재를 종합하면, 엔비디아가 최근 HBM4의 데이터 전송 속도 기준을 상향 조정하면서 마이크론이 진땀을 빼고 있다는 분석이 제기됐습니다.
엔비디아 요구 수준 상향, 마이크론 난관
엔비디아는 기존 9Gbps에서 10Gbps로 요구 수준을 높였습니다. 이 과정에서 마이크론이 자체 D램 공정으로 제작한 로직 다이가 성능 기준을 맞추지 못하는 것으로 보입니다.
로직 다이 구조 변화가 핵심
HBM4는 기존 세대와 구조적으로 다릅니다. 제품의 가장 밑단, 즉 베이스 다이에 단순한 연결 기능 대신 로직 기반의 베이스 다이, 즉 로직 다이가 들어갑니다. 로직 다이는 HBM과 GPU를 직접 연결하며 고객 요구에 맞춘 맞춤형 설계가 필요합니다. 이 때문에 최첨단 파운드리 공정이 활용되기도 하는데요. 삼성전자는 자체 4나노 공정을 활용해 로직 다이를 제작하고, SK하이닉스는 TSMC의 12나노 공정을 사용합니다.
하지만 마이크론은 파운드리에 맡기지 않고 자체 D램 공정으로 로직 다이를 만들어 왔습니다. 이 방식은 전력 효율에 집중하는 데는 유리했지만, 엔비디아가 요구하는 고성능을 충족하기에는 한계가 드러난 것으로 평가됩니다. 실제로 유럽 증권사 UBS는 마이크론이 여전히 로직 다이에 내부 D램 공정을 적용하고 있다며, 엔비디아의 새 요구 조건에 맞게 추가적인 조정이 필요할 수 있다고 지적했습니다. 국내 KB증권 역시 마이크론이 개발 초기부터 전력 효율 위주로 HBM4를 설계한 것으로 보인다며, 앞으로 엔비디아 공급에 차질이 있을 것이라고 분석했습니다.
삼성전자, 앞선 공정 기술로 입지 확대 전망
반면 삼성전자는 앞선 공정 기술을 무기로 입지를 확대할 전망입니다. 삼성은 경쟁사보다 한 세대 진화한 6세대 1c D램 공정을 적용해 HBM4를 제작합니다. SK하이닉스와 마이크론이 아직 5세대 1b 공정을 사용하는 것과는 대조적입니다. 세대가 높을수록 성능과 전력 효율이 동시에 향상되는 만큼, 삼성은 엔비디아 요구 조건을 충족할 가능성이 크다는 평가가 지배적입니다.
홍콩 GF증권 제프 연구원은 최근 보고서에서 삼성전자의 1c 공정 수율이 이미 70%를 넘어섰고, 엔비디아의 HBM4 인증을 받을 가능성이 높다며 빠르면 2026년 1월 인증이 이루어질 것이라고 전망했습니다.
삼성전자 공급 확대 준비 가속
삼성전자는 공급 확대를 위한 준비에도 속도를 내고 있습니다. 내년 상반기까지 경기도 평택 제4캠퍼스 P4 라인에 1c D램 공정 생산 설비 투자를 마무리할 계획이고, 기존 P3 공장 역시 HBM4 생산 전환이 논의되고 있습니다. 특히 내년 하반기 출시 예정인 엔비디아 차세대 AI 반도체 루빈 탑재 시점에 맞춰 생산 능력을 확보하겠다는 전략입니다. 중국 CLSA증권은 평택 P4 시설이 올해 하반기부터 월 5만 개의 웨이퍼 기준 D램 생산 능력을 갖출 것이라고 내다봤습니다. 이에 비해 마이크론의 HBM 투자는 이미 속도 조절에 들어간 것으로 파악되고 있습니다.
GF증권은 마이크론이 엔비디아의 성능 조건을 충족하기 어렵다는 판단 아래 일부 HBM 투자를 지연시키고 있다고 전했습니다. 마이크론은 현재 미국 뉴욕과 아이다호에서 300억 달러, 우리 돈 약 40조 원을 들여 D램과 HBM 생산 시설을 건설 중이지만, 성능 경쟁에서 뒤처질 경우 투자 효과를 제때 거두기 어려울 것이라는 지적이 나옵니다.
자주 묻는 질문 정리
**Q. HBM4에서 로직 다이가 중요한 이유는 무엇인가요?** HBM4부터는 기존 베이스 다이 대신 로직 다이를 사용합니다. 로직 다이는 메모리 컨트롤러 기능을 수행하며, GPU와 HBM을 연결하는 핵심 칩입니다. 고객사의 성능 요구에 맞춰 맞춤 제작되고, 첨단 파운드리 공정을 활용해야 하기 때문에 성능과 전력 효율을 동시에 충족하는 것이 매우 중요합니다.
**Q. 마이크론은 왜 HBM4 성능 요구를 충족하는 데 어려움을 겪나요?** 마이크론은 로직 다이를 자체 D램 공정으로 제작하고 있으며, 전력 효율에 집중한 설계 방식을 적용했습니다. 반면 엔비디아는 데이터 전송 속도를 기존 9Gbps에서 10Gbps로 높였고, 첨단 공정 기반의 맞춤형 로직 다이를 요구합니다. 이 때문에 마이크론은 성능 요구를 맞추는 데 어려움을 겪고 있습니다.
**Q. 엔비디아의 HBM4 공급사 구도는 어떻게 되나요?** 엔비디아의 차세대 GPU 루빈에 HBM4를 가장 먼저 공급할 가능성이 큰 곳은 SK하이닉스입니다. 그다음 삼성전자와 마이크론이 두 번째 공급사 자리를 두고 경쟁하는 구도였는데, 최근 흐름을 보면 마이크론이 뒤처지고 삼성전자가 반사 이익을 얻으면서 엔비디아 내 입지를 확대할 가능성이 커지고 있습니다.
엔비디아의 선택은 단순히 한 기업의 실적을 넘어 글로벌 AI 반도체 경쟁 구도를 좌우할 수 있습니다. 삼성과 SK하이닉스가 주도하는 한국 메모리 반도체의 위상이 한 번 더 확인될지, 앞으로도 관련 내용을 함께 체크해 보겠습니다.
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