저자: 백만장자 · 한국인
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마이크론의 HBM4 양산 자신감 발언에도 전문가들은 엔비디아 요구 속도(11Gbps)와 인증 충족이 어렵다고 봄. 설계 변경과 전압 상승은 안전성 문제를 야기. SK하이닉스는 TSMC 12nm 로직다이로 올해 11월 인증·연말 소량 생산 예상, 내년 1분기 비중 급증 전망. 삼성전자는 4nm 로직다이와 1c D램으로 11Gbps 구현, HBM4 시장 주도 가능성 제기. 금요일 수급은 외국인 코스피 약 6,600억 순매도 중 SK하이닉스 약 3,600억 매도, 삼성전자는 130만주 순매수.
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예, 안녕하십니까. 여러분들의 백만장자입니다. 파이팅입니다. 여러분, 주말에 조금 놀라셨을 텐데, 그와 관련된 이야기를 잠깐 드리겠습니다. 오늘은 주말 영상을 맞이해서, 지금 마이크론이 "HBM4도 우리가 잘 할 수 있고 성능에도 문제없다"는 이야기를 하고 있는데, 실제로 전문가들 사이에서는 "이건 아닌 것 같다"는 시각이 나오고 있습니다. 왜 아니라고 보는지, 마이크론이 HBM4에서 왜 힘들 것이라고 보는지, 결국 삼성과 하이닉스 두 회사가 HBM4부터 독주 체제로 넘어갈 수밖에 없는 이유를 설명드리겠습니다.
자, 짧게 한번 보고 가시죠. 금요일에 개인 투자자들이 코스피에서 1조 가까이 순매수했습니다. 맨 앞에 있는 외국인은 약 6,600억 원을 팔았고, 중간에 있는 기관은 약 4,880억 원을 매도했습니다. 그런데 삼성전자 수급을 보면, 이 와중에도 외국인이 삼성전자는 샀습니다. 130만 주 정도인데, 큰 금액이 아닐 수도 있지만 1천억 원이 넘는 돈이니 적지 않은 규모입니다.
더 흥미로운 건 SK하이닉스입니다. 금요일에 외국인 매도세가 나왔고, 매도 금액으로는 3,600억 원 가까이 됩니다. 외국인 전체 매도 6,600억 원의 상당 부분이 하이닉스에 집중된 셈입니다. 반면 삼성전자는 최근 외국인이 계속 매수하고 있습니다. 하이닉스는 최근 외국인 매도세가 상대적으로 강해 보입니다. 삼성전자와 비교해서 이런 수급 흐름도 참고하셨으면 좋겠습니다.
오늘 주목할 인물은 마이크론 CEO 산제이 메로트라입니다. 그는 마이크론이 엔비디아가 요구하는 HBM4의 성능 향상 조건, 즉 데이터 처리 속도 등을 충족할 수 있다고 이야기했습니다. 그전까지는 엔비디아가 요구하는 여러 성능 향상 조건을 충족하지 못해 HBM4에서 어려움을 겪을 것이라는 우려가 제기됐었는데, 이에 대해 내년 상반기 HBM4 양산에 대한 자신감을 내비친 겁니다.
하지만 전문가들 사이에서는 여전히 회의적인 시각이 많습니다. 마이크론이 HBM4를 양산하려면 지금 상태에서는 분명히 설계 변경이 필요하다는 것입니다. 설령 설계를 변경해서 엔비디아의 데이터 처리 요구 조건을 맞춘다고 해도, 최종 HBM4 인증을 통과하기는 또 쉽지 않을 것이라는 의견이 지배적입니다. 한마디로 HBM4부터는 삼성과 SK하이닉스의 양강 체제가 이어질 가능성이 높다는 겁니다.
이미 HBM4 양산 체제를 구축하고 엔비디아의 인증을 기다리고 있는 SK하이닉스가 있고, 앞선 D램 공정과 파운드리 기술을 적용한 삼성전자가 내년에 HBM4 시장을 주도할 가능성이 높다는 것이 지금 전문가들의 이야기입니다.
마이크론 CEO는 23일 현지시각 실적 발표 때 이런 이야기를 했습니다. 다만 실적 발표 자리이니 다소 부풀려 말했을 수도 있다는 시각이 시장에 있습니다. 그는 마이크론이 내년 HBM4로 전환할 예정이며, 업계 최고 수준인 초당 11GB의 데이터 처리도 고객 요구에 맞춰 제공할 수 있다고 말했습니다. 중요한 건 "이미 개발을 완료했다"가 아니라 "제공할 수 있다"는 표현이었다는 점입니다. 업계에서는 이를 마이크론의 HBM4 경쟁력에 대한 의문에 정면으로 반박한 발언으로 받아들였습니다.
국내외 전문가들은 엔비디아의 속도 요구 조건이 기존 초당 9Gbps에서 10~11Gbps로 높아지면서 마이크론이 이에 대응하기 어려울 것이라고 봅니다. 핵심은 HBM4의 핵심 부품인 로직 다이 제작입니다. 로직 다이는 파운드리 공정이 필요한데, 마이크론은 기존 D램 공정을 그대로 활용하려 했습니다. 시장에서는 이 방식으로는 엔비디아의 요구 조건을 충족하기 어렵다고 본 겁니다.
반면 SK하이닉스는 TSMC의 12나노 파운드리 공정을 활용하기로 했고, 삼성전자는 자체 파운드리 4나노 공정으로 로직 다이를 만들고 있습니다. 시장은 이미 마이크론의 기존 D램 공정으로는 불가능하다는 점을 이해하고 있었기 때문에 이런 평가가 나온 것입니다.
설령 마이크론이 엔비디아의 속도 요구 조건을 만족하더라도, 여전히 어려움은 남아 있습니다. 마이크론은 베이스 다이 설계를 변경하고 전압을 높여 입출력 속도를 개선하려는 것으로 추정됩니다. 전문가들은 이 방향 외에는 답이 없다고 보고 있습니다. 다만 입출력 속도를 올리려면 입출력 수 증가 대비 훨씬 많은 전압 상승이 필요하고, 이는 HBM의 기술적 안정성을 떨어뜨릴 수 있습니다. 따라서 입출력 속도 상향이 엔비디아 요구를 맞추는 해법이라고 단정하기 어렵습니다.
마이크론은 엔비디아 요구에 맞춘 고대역폭 HBM4 샘플을 전달했다고 밝혔지만, 대량 양산을 위해서는 추가 설계 변경이 필요할 수밖에 없습니다. 최종 인증 과정을 지켜봐야 하는 상황이고, 아무래도 쉽지 않을 것이라는 이야기가 나오고 있습니다. 결국 엔비디아와 고객사의 높아진 요구 수준에 비해 마이크론의 대응이 상당히 느렸다는 평가입니다. 물음표는 많이 남아 있지만, 마이크론에 비해 현재 SK하이닉스와 삼성전자가 HBM4에서 앞서 있는 것은 분명합니다.
SK하이닉스는 이미 엔비디아의 최종 인증을 위해 고객사 샘플 단계인 CS(고객 샘플)를 제공했습니다. 인증은 올해 11월이나 그다음 달쯤 이루어질 것으로 예상됩니다. 올해 말부터 하이닉스가 소량 HBM4 생산에 들어가고, 내년 1분기쯤에는 HBM4 비중이 급격히 올라갈 것으로 보입니다.
삼성전자는 앞선 공정 기술로 D램이든 파운드리든 엔비디아가 요구하는 속도를 안정적으로 충족할 것으로 예상됩니다. 실제로 테스트 결과도 긍정적으로 나오고 있습니다. 저는 삼성전자가 경쟁사보다 한 세대 앞선 6세대 10나노급(1c) D램으로 HBM4를 제작한다고 봅니다. 또 4나노 공정은 수율도 좋고 기술적으로도 상당히 안정적입니다. 수율이 잘 나오는 삼성전자의 최첨단 공정에서 HBM4의 핵심인 로직 다이 성능을 크게 끌어올릴 것으로 보입니다.
결과적으로 삼성전자의 HBM4는 1c D램과 4나노 로직 다이를 적용하게 되고, 공급사들 중 가장 높은 초당 11Gbps를 구현해 엔비디아 HBM 공급망 다변화의 중심에 설 가능성이 충분히 높다고 개인적으로 생각합니다.
삼성이 예전에 말로만 잘한다는 평가를 받았던 것처럼, 지금 마이크론도 말로만 앞서가는 상태가 아닌지 생각해 볼 필요가 있습니다.
이상 여러분들의 백만장자였습니다. 사랑합니다, 여러분.
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