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안녕하십니까 세상 읽어주는 남자 이상훈입니다. 오늘은 마이크론에 대해서 말씀드리겠습니다이 마이크론이 최근 그 euv 장비를 사용하지 않는 d램을 잇따라 출시하고 있습니다. 지난해인 2021년 그 마이크로는 자신들이 삼성보다 더 일찍 그 10나노급 4세대 d램인 알파 디램을 개발했다고 발표했었는데요. 그 일전에도 말씀드렸지만 10나노급 4세대라는 것은 10나노떼 진입해서 내놓는네 번째 d램이란 뜻입니다이 당시 삼성은 10나노 때 진입해서 세 번째 제품인 그 3세대 d램을 내놓은 상태였기 때문에이 4세대 d램을 마이크론이 먼저 내놓았고 또 눈길을 끌었던 점이 따로 있는데요.
그 euv 장비를 쓰지 않은 그러니까 arf 브라 아르곤 강원을 활용한 제품이라는 점을 마이크로는 강조했었습니다. 그런데 마이크로는 여기서 더 나가서 극좌외선 노강장비 이후부 장비 없이 또 다시 10나노 급 5세대 d램인 lpdr5x를 내놓고 샘플을 수요 업체에 전달했다는 소식이 나왔습니다이 마이크론이 직접 밝힌 오피셜입니다이 계획대로라면 내년 초부터 5세대 d램을 양산한다고 합니다이 4세대 d램과 5세대 d램이 모두 euv 장비 없이 구현된 d램입니다. 이걸 어떻게 봐야 할지 천천히 짚어 드리겠습니다. 사실 그 싼제이 메로트라 마이크로 ceo는 euv 장비 없는 차세대 d램 구현에 큰 의미를 부여하고 있습니다.
그 euv 공정을 받아들이는 이후부터 먼저 살펴볼 필요가 있을 것 같은데요이 반도체 공정에서 최신 공정은 파운드리부터 받아들였고 추후에 메모리로 적용되는 구조입니다. 이미 파운드리는 그 3나노를 적용하는 단계지만 아 메모리는 아직도 10나노떼 제품입니다이 파운드리의 경우는 메모리처럼 표준칩이 아닌 팹리스의 특화된 칩 그래서 다품종 소량 생산일 수밖에 없습니다. 그러다 보니 비싼 노드를 적용하더라도이 성능의 최적화된 고부가 같이 칩을 만들 수 있습니다. 그래서 첨단 노드 적용이 빠른 것이죠. 메모리 같은 거는 원가 경쟁을 통한 생산이 가장 중요한 특징이고 특징이고 파운드리는 고부가 지칩을 생산하기 위해서 적게 만들지만 칩의 생산 량은 작지만 높은 수주 가격을 통해서 만회 그런 구조입니다.
그러다 보니 그 euv 장비 같은 경우는 그 반도체의 원재료인 웨이퍼의 회로를 그리는 노간 공장에 사용되는 장비인데요 euv 장비는 그 파장 길이가 13.5를 이용합니다. 아 그래서 반도체 업계에서 미세공정의 한계로 여겨졌던 7라노를 뛰어넘어서 오나노 4나노 3나노 2나노에 이르는 초미세공정이 가능해지는 것이죠. 이렇게 되면 그 반도체의 크기가 줄고 에너지 소모도 줍니다. 성능은 높아지고 웨이퍼 한 장으로 더 많은 반도체 칩을 만들 수 있기 때문에 생산성이 높아집니다이 삼성의 경우는 파운드리에서 이미 7라노부터 UV 공정을 적용했고 메모리도 지금 이제 적용하고 있는 상태입니다.
tsmc는 6라노부터 UV 공장을 적용했습니다. 이제 메모리도 그 10나노 대로 접어들면서 euv를 활용하고 있는데요. 삼성은 지난해부터 d램 생산용 euv를 도입해서 ddr5와 lpdr5 d램 메모리 양산에 들어갔습니다이 하이닉스도 euv 기반으로 대량 생산에 나선 상태입니다이 그런데 마이크로는 이미 그 메트로라 ceo가 2024년부터 그러니까 내후년부터 d램의 euv 공정을 적용한다고 밝혔습니다. 그때까지는 euv 장비 없이도 차세대 d램을 만들 것이며 여기에 맞춰서 10나노급 4세대와 5세대 제품을 내놓았다고 발표한 셈입니다이 마이크론에이 탈 euv 전략은 그 몇 가지 갈래로 나눠서 생각해 볼 필요가 있다는 생각입니다.
일단 그 마이크론은 생산비 절감에 도움이 된다는 입장인데요 euv 장비는 한대 2,500억의 억원이 넘는 장비입니다. 장비 확보 경쟁이 붙었을 때는 4000억원을 호가 하기도 했습니다. 이런 장비 없이 d램을 만들 수 있 때문에 장비 확보와 유지보수에 들어가는 돈을 아낄 수 있어서 저렴한 생산원가가 가능해진다는게 마이크론의 입장입니다. 이 하지만 역으로 euv 방식을 공정에 적용하는 이유는 아시다시피 멀티 패턴인 방식을 피하기 위한 것입니다. 멀티 패턴인 방식을 적용하면 노간 공정을 몇 번은 더 거쳐야 하죠. 여러 번 공정을 왔다 갔다 해야 하기 때문에 공정이 늘어날 수밖에 없습니다.
공정이 늘어난다는 얘기는 생산원가 증가로 귀결된다는 뜻입니다. 과연 마이크론이 말하는 대로 얼마만큼 원가 절감에 도움이 될 수 있을지는 미지수라는 생각입니다이 보기에 따라서는 투자할 자금 부족 투자금을 다른 쪽에 투입하기 위한 이유 때문에 UV 공정 도입이 늦어지는 측면을 만회하기 위한 자구적 성격을 이런 식으로 포장할 개연성도 있다는 생각인데요 물론이는 어디까지나 관측입니다. 하지만 euv 장비 없이 나오게 되는 d램의 가격 경쟁력이 확실히 경쟁업체인 삼성 하이닉스의 같은 사양 제품보다 뛰어난 점이 있다면 마이크론에 주장은 설득력이 있지만 그렇지 않다면 요소가 강할 수밖에 없다는 생각도 불가피합니다이 더구나 지금은 euv 장비를 구현하기 위한 구하기 위한 그 장비 센터 전이 치열한 상황이죠.
파운드리에이어서 메모리까지 euv 장비가 도입돼 활용되고 있고 특히 인텔이 파운드리의 재진출을 선언했습니다. 인텔의 경우는 euv 장비를 처음으로 공정에 적용한 사나노 시프인 미티어레이크도 내년에 내놓게 됩니다. 2024년 euv 공정 도입을 위해서 euv를 사서 시범공정에 적용해야만 하는 마이크론 입장에서는 이런 것들이 부담이 될 수밖에 없는 요인들입니다이 또 봐야 할게 신공정 적용을 늦추는 의미인데요 메모리에서 마이크론이 UV 장비 도입을 늦추는 것과이 파운드리에서 tsmc가 euv 장비 도입을 늦추고 트랜지스터 구조를 바꾼 그 게이트홀 어라운드 도입을 늦추는 것을 같은 선상에서 보기는 어렵다는 뜻입니다이 파운드리 tsmc는 삼성보다 euv 장비 도입을 늦췄었는데요이 경우 그 팹리스와 파운드리가 서로 윈윈하는 측면이 아주 강했습니다.
팹리스는 그 강원의 교체가 없다 보니 기존 설계도에서 큰 변화 없이 설계를 할 수 있었습니다. 그리고 저렴한 가격에 7나노를 활용할 수 있다는 뜻이죠이 tsmc도 EV 장비 투자가 없다보니 큰 투자비용을 쓰는 것 없이 첨단 공정을 구축하는 효과가 있었습니다. 물론 마이크론도 euv 장비가 장비를 구매하는데 돈이 안 들다 보니 투자비를 줄일 수는 있습니다. 그렇지만 그 줄인 투자비가 저렴한 차세대 d램 가격으로 연결되는지는 아직 확인되지 않고 있습니다. 이미 그 1산업은 불안기로 접어들었는데요이 삼성을 빼고 다른 d램 업체들이 감산을 다 결정했습니다.
하이닉스 마이크론도 모두 그렇죠. 이런 상황에서 나오게 되는 마이크론의 5세대 d램이 삼성보다 얼마만큼 성능 이렇게 뛰어난 가격 경쟁력을 보여줄지 검증이 필요합니다. 이게 가능하다면 분명 마이크로는 도약의 계기를 잡을 수 있을 것으로 봅니다. 특히 미국 정부가 마이크론을 노골적으로 밀어주고 있는 상태입니다. 중국의 메모리 공장이 있는 삼성 하이닉스의 경우는 중국 폐비 우한 덩어리나 마찬가지인데요 중장기적으로 중국 탭의 장비 업그레이드가 가능할지 여부가 불투명한 상황이기 때문에 마이크로니 치고 올라갈 가능성이 있습니다. 하지만이는 그 차세대 d램의 가격 경쟁력이 확인된다는 가정 하에서 가능한 얘기입니다.
마이크론이 밝힌 강점을 제대로 보여주지 못한다면 얘기는 달라집니다. 책은 마이크로는 투자가 많이 이뤄지고 있는 상황인데요 먼저 미국 뉴욕 북부 클레이에 20년간 최대 1000억 달러를 들여서 탭을 짓는다고 발표 했었습니다이 앞서서는 미국 아이다호의 150억 달러를 들여서 신규 d램 공장 건설에 들어가기도 했습니다이 키옥시아 에벤의 변수도 있습니다. 마이크론이 됐든 웨스턴 디지털이 됐든 qcy m&a 충분히 가능성이 있는 시나리오입니다. 미국은 특히 그 반도체 육성 의지가 강하고 마이크론이 어떤 식으로 카드가 될 수가 있습니다. 마치 파운드에서 인텔의 카드가 되는 것처럼 말이죠.
다시 한번 다시 말씀드리면 마이크론이 돈이 들어가야 할 각종 투자처가 지금 산재에 있다는 뜻입니다. 마이크로니 euv 장비 도입 없는 d램 개발도 이런 다양한 관점에서 살펴볼 필요가 있는 주제라는 생각입니다. 감사합니다
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