저자: 인포뱅크진행자 · 한국인
요약 보기
결론: TSMC의 대규모 인력·설비 투자는 일본 소재 수출규제로 어려움을 겪는 삼성전자와의 격차를 벌리려는 의도로 해석되며, 삼성은 일본에서 파운드리 포럼을 강행해 건재함을 과시한다. TSMC 채용: 올해 말까지 3,000명 이상 채용하며, 1987년 창사 이후 처음 있는 규모라고 소개함. 전기·전자·기계·화학 등 관련 전공을 대상으로 함. TSMC 투자: 영업이익은 전년 대비 9.6% 감소했으나 설비투자는 약 110억 달러(약 13조원)로 전년 대비 약 두 배 수준. 이 중 80%는 EUV 등 초미세 공정에 투입될 예정. TSMC 기타: 미국 파운드리 설비 인수 가능성 언급, 대만 신주 연구개발센터 착공 계획 소개. 분석가들은 이 발표를 삼성 견제 의도로 봄. 시장 점유율: TSMC가 파운드리 시장의 약 50%를 점유하는 절대 강자이며, 삼성전자가 2위로 추격 중. 엔비디아 등 대형 고객사를 영입하고 있다고 언급. 기술 로드맵: TSMC는 3나노 공정 개발이 순조롭다고 발표했고, 삼성전자와의 기술 격차는 약 1년 정도로 설명됨. 진행자는 삼성이 3나노 GAA 공정을 TSMC보다 1년 앞서 있다는 평가를 소개. 일본 규제 및 삼성 대응: 일본의 포토레지스트 등 수출규제 영향 속에서도 삼성은 9월 4일 도쿄에서 파운드리 포럼을 예정대로 개최. 28나노 FD-SOI, 7나노 eMRAM 등을 발표하고 3나노 GAA PDK를 고객에게 배포. 기술 설명: 핀펫 대비 GAA(게이트 올어라운드)가 채널을 3면에서 감싸 전력 효율이 높다는 설명. 진행자는 이를 공정 구조 중심으로 상세 설명함. 진행자 전망: 삼성이 어려운 시기에 TSMC가 공격적으로 투자하고 있으나, 삼성이 이번에도 잘 넘길 것으로 예상. 구체적 가격·목표가·투자 종목 방향은 제시하지 않음.
다듬은 글
안녕하세요, 정보와 세상을 바꾼다 인포뱅크입니다. 이번에 전해드릴 내용은 TSMC의 대규모 투자·채용으로 격차를 벌리는 가운데, 삼성전자가 삼성 파운드리 포럼을 일본에서 예정대로 개최한다는 소식입니다. 여러분의 구독과 좋아요는 저에게 큰 힘이 되니, 많이 눌러 주셨으면 좋겠습니다. 그럼 시작하겠습니다.
이번 소식의 배경에는 일본의 반도체 소재 수출 규제가 있습니다. 먼저 TSMC의 채용 계획부터 보겠습니다. TSMC는 반도체 산업 내 고급 기술 개발 노력의 일환으로 올해 말까지 3,000명 이상을 채용한다고 밝혔습니다. TSMC가 이렇게 대규모 투자와 채용에 나서는 목적은, 일본 반도체 소재 수출 규제로 발목이 잡힌 삼성전자와의 격차를 벌리려는 의도로 분석됩니다.
채용 분야는 전기·전자, 기계, 광전자, 물질, 화학, 산업공학 등 관련 산업 전반에 걸쳐 있습니다. 3,000명 이상을 신규 채용하는 것은 1987년 창사 이후 처음이라고 합니다. TSMC 측은 사업 성장과 기술 발전을 뒷받침하기 위해 대규모 신규 채용을 결정했다고 설명했습니다.
업계 관계자들에 따르면 TSMC는 파운드리 전문 기업이지만, 삼성전자는 인력 대부분을 메모리 반도체에 투입하고 있습니다. 그래서 파운드리 사업만 떼어 보면 TSMC가 삼성전자의 두 배 인력을 채용하는 셈이라고 합니다.
지금 보시는 그래프는 1분기 기준 전 세계 파운드리 시장 점유율입니다. TSMC는 실적이 부진했음에도 설비 투자를 늘리고 있습니다. 작년 대비 영업이익이 9.6% 줄었지만, 설비투자액은 약 40억 달러, 한화로 약 7조 1,300억 원으로 전년 대비 94% 올랐습니다. 작년 설비투자 규모와 비교하면 올해는 거의 두 배가 되는 셈입니다. 올해 말까지 총 110억 달러, 약 13조 원을 투자할 계획이며, 이 중 80%는 첨단 공정 설비에 쓰일 예정이라고 합니다.
TSMC의 마크 리우 회장은 미국 파운드리 설비를 인수할 가능성도 언급했습니다. 미국에서 파운드리 설비를 인수할 수 있는 곳은 사실상 글로벌 파운드리 정도로 꼽힙니다. TSMC는 또 대만 신주에 대규모 연구개발센터 착공을 계획하고 있으며, 최근 현지 환경보호 심의도 통과했습니다. 반도체 업계에서는 TSMC가 대규모 인력과 설비 투자 계획을 공개한 것이 삼성전자를 겨냥한 행보라고 분석하고 있습니다.
현재 파운드리 시장은 TSMC가 50% 이상을 점유하는 절대 강자입니다. 2위인 삼성전자는 이를 맹렬히 추격하고 있습니다. 삼성전자는 인텔, 엔비디아 등 대형 고객사를 영입하며 점유율을 키우고 있습니다. TSMC는 여전히 애플, 퀄컴, AMD, 화웨이 같은 기업들과 긴밀한 관계를 유지하고 있습니다. 삼성전자는 7나노 수주에 성공한 이후 존재감을 키워 왔는데, 이번 일본의 포토레지스트 수출 제한이 삼성전자에게 치명적인 위협으로 다가오고 있습니다. 삼성전자는 현재 관련 소재를 자체 개발하고 있는데, 개발은 거의 끝났다는 이야기도 나옵니다. 다만 이 부분은 제가 사실 확인을 더 해 본 뒤에 정확한 내용을 따로 전해드리겠습니다.
한편 TSMC는 3나노 공정 기술 개발이 순조롭다고 발표했습니다. 업계에서는 TSMC가 내년 상반기부터 2나노 공정을 가동하고, 3나노 공정 R&D도 진행하고 있다는 내용을 현지 언론에 흘리고 있다고 전합니다. 이는 기술 리더십을 과시하면서 삼성전자와의 격차를 더 벌리려는 의도로 보입니다. 실제로 TSMC와 삼성전자의 기술 격차는 약 1년 이상 벌어져 있는 상황입니다.
이런 상황에서 삼성전자는 정면돌파 의지를 밝히고 있습니다. 일본의 수출 규제에도 불구하고 삼성전자는 일본에서 파운드리 포럼을 강행합니다. 9월 4일 일본 도쿄 시나가와 인터시티 홀에서 예정대로 개최하며, 26일부터 홈페이지에서 참가 신청을 받습니다.
이번 포럼에서는 28나노 완전 공핍형 실리콘 온 인슐레이터(FD-SOI) 공정과 eMRAM(내장형 자기저항 메모리) 기술을 소개합니다. 해당 기술은 3월에 개발을 완료했습니다. 두 번째로는 이후 세대 공정을 적용한 7나노 5핀 FinFET을 공개할 예정입니다. 앞서 삼성전자는 차세대 트랜지스터 구조인 3나노 GAA(게이트 올 어라운드) 공정 설계 키트(PDK)를 고객에게 배포했는데, 이번 포럼에서도 추가 배포가 이뤄질 것으로 보입니다.
이번 포럼은 삼성전자가 차세대 성장동력인 파운드리 사업을 키우겠다는 강한 의지를 보여 주는 자리입니다. 일본 수출 규제 때문에 공격적인 행보가 어렵다는 시각에 대해, 우리는 여전히 건재하고 기술력도 충분하다는 점을 국내외에 과시하려는 의도도 담겨 있습니다.
여기서 잠깐 기술을 짚어 보겠습니다. 현재 많이 쓰이는 방식은 핀펫(FinFET)입니다. 핀펫은 게이트가 채널을 세 면에서 감싸는 구조로, 채널 위로 지느러미(fin)처럼 솟아 있는 형태에서 이름이 붙었습니다. 여기서 한 단계 더 나아간 것이 GAA입니다. GAA는 게이트가 채널을 사면에서 완전히 둘러싸는 구조입니다. 채널을 여러 층으로 쌓으면 그만큼 게이트와 접촉하는 면이 늘어나 전류 제어가 정밀해지고 전력 소모도 줄어듭니다. 그래서 공정이 미세해질수록 GAA의 장점이 커지고, 업계는 이 방식이 차세대 표준이 될 것이라고 보고 있습니다. 삼성전자는 GAA 기술을 3나노에 먼저 적용해 TSMC보다 앞서 있다는 평가를 받고 있습니다. 인텔과 삼성전자가 공동 개발한 GAA 공정은 앞으로 3차원으로 쌓아 올리는 방식으로 발전할 것이라는 것이 전문가들의 공통된 의견입니다.
정리하겠습니다. 삼성전자가 일본 규제로 어려움을 겪는 사이 TSMC는 채용과 투자를 크게 늘리며 격차를 벌리려 하고 있습니다. 그러나 삼성전자는 파운드리 포럼을 예정대로 열고 기술력을 보여 주며 맞대응에 나섰습니다. 이 기회를 계기로 삼성전자가 소재 국산화도 잘 이뤄 내고, 더욱 성장하고 발전하는 기업이 되기를 기대합니다.
여러분의 구독과 좋아요 많이 부탁드립니다. 감사합니다. 다음 시간에 뵙겠습니다.
Comments 0