저자: 백만장자 · 한국인
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삼성전자가 전영현 부회장 특명으로 HBM4 대응을 위해 기흥·화성 엔지니어 약 2,000명을 평택 P4로 이동 중이며, 6세대 10나노급 D1c 원시(HBM4 베이스다이) D램 양산 준비에 나섰다고 주장. 협력사 장비 발주, 2025년 2월쯤 설비 반입, 1분기 램리서치 등 장비 반입 예정. 원시 D램 수율 확보 여부가 내년 주가 10만전자 돌파 여부를 좌우한다고 봄.
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예 안녕하십니까, 여러분의 백만장자입니다. 파이팅입니다. 요즘에는 정치 이슈가 워낙 크다 보니 삼성전자 얘기를 하기가 힘듭니다. 솔직하게 말씀드려서 힘들고, 거기에 주가까지 떨어지니 멘탈이 나갈 수밖에 없죠. 지금 이런 여러 악재가 겹쳐 있는 상황에서 삼성전자 주가가 오르기도 쉽지 않습니다.
그렇지만 지금 삼성전자 내부에서 돌아가는 소식은 긴박합니다. 다른 곳에서는 잘 말씀드리지 않는 내용을 하나하나 짚어 보겠습니다. 솔직히 우리 삼성전자 주주들이 기댈 곳은 전영현 부회장 말고는 없다는 생각이 듭니다. 제 개인적인 판단으로는, 전 부회장이 특명을 내렸습니다. HBM4 때문입니다. 정확히는 HBM4의 코다이, 그리고 그 코다이 때문에 중요해진 베이스 다이 때문입니다. 그 특명의 내용을 말씀드리겠습니다.
전영현 부회장이 메모리 반도체 생산부터 파운드리까지 이뤄지는 삼성전자의 차세대 반도체 전초기지, 평택 캠퍼스로 대규모 인력 이동을 시작했습니다. 다 옮긴 것은 아니고 본격적으로 삼성전자의 체질 개선에 나섰다는 신호로 보시면 됩니다.
제가 확인한 내용입니다. 인력 이동은 전영현 부회장의 특명으로 시작됐습니다. 특히 부진했던 HBM 개발의 반전을 꾀하려는 전략으로 풀이됩니다. 그래서 기흥과 화성에 있는 반도체 엔지니어 약 2,000명을 평택으로 이전하고 있는 것으로 확인됐습니다. 기술 인력은 생산 기지 옆에 있어야 공정 관리를 잘할 수 있다는 것이 전 부회장이 공식 자리에서 한 이야기입니다. 구체적으로는 양산 수율을 직전까지 끌어올리는 공정 설계팀의 PA 엔지니어, 그리고 생산된 제품의 품질을 데이터로 개선하는 품질 엔지니어인 PE 인력이 이동의 주축인 것으로 확인됐습니다.
이 직무는 반도체 개발 이후 양산을 앞두고 수율을 끌어올리는 단계에 투입되는 인력입니다. 참고로 삼성전자는 현재 평택 캠퍼스 P4에서 6세대 10나노급, 이른바 D1c를 양산하려고 합니다. 협력사에 제조 설비도 발주하며 속도를 내고 있고, 이번 인력 이동도 이 계획을 염두에 둔 것으로 풀이됩니다. 어떻게 보면 삼성전자가 HBM4에서 승부를 걸겠다는 뜻으로 보입니다.
삼성전자의 6세대 고대역폭 메모리인 HBM4의 베이스 다이는 HBM의 가장 아래층 부분입니다. D1c가 선정된 만큼 내년부터 장비 반입, 인력 재배치 같은 준비 작업이 본격화될 것으로 보입니다. 경쟁사인 SK하이닉스와 마이크론은 HBM4 베이스 다이에 5세대인 1b 공정, 즉 D1b를 활용합니다. 삼성전자는 그보다 한 단계 앞선 D1c, 6세대 공정의 수율 확보를 HBM4 개발과 납품을 위한 첫 단추로 본 것 같습니다. 그동안 엔비디아향 HBM 품질 인증이 지연되면서 메모리 1등의 위상에 금이 갔는데, 이번에 삼성의 저력을 보여주겠다는 포부가 느껴지는 대목입니다.
정리하면, 삼성전자가 원시 디램 양산 투자를 본격화하고 투트랙 승부수를 던졌다고 보시면 됩니다. 최근 협력사 제조 설비까지 발주했고, 내년 2월쯤 설치 작업에 본격적으로 들어갈 것으로 보입니다.
원시 디램은 삼성전자의 차세대 HBM4 경쟁력을 좌우할 핵심 요소입니다. 그래서 이 제품을 적기에 양산하기 위한 준비에 나선 것으로 보입니다. 파운드리 쪽은 3나노를 넘어 2나노 수율 확보가 관건인데, 아직 수율이 잘 안 나오고 있습니다. 파운드리는 2나노에 역량을 집중하고, 메모리는 HBM4와 원시 디램에 모든 역량을 투입하는 투트랙 전략으로 방향을 잡은 것입니다. 이 결과가 내년에 나올 텐데, 제 생각에는 삼성전자 주가가 10만 전자를 넘어설 수 있을지를 가를 중요한 포인트가 될 것입니다.
원시 디램은 6세대 10나노급 D램입니다. 회로 선폭은 11~12나노미터 수준입니다. 현재 상용화된 가장 최신 세대인 1b, 즉 5세대 D램보다 한 세대 앞선 제품이고, 내년부터 양산이 들어갑니다. 삼성전자도 그동안 원시 디램 개발에 공을 들여 왔습니다. 제가 얼마 전 영상에서도 말씀드렸지만, 지난 3분기에 처음으로 원시 디램의 굿다이, 즉 정상 작동하는 칩을 확보했습니다. 가시적인 성과를 얻은 셈입니다. 그래서 이제 본격 양산을 위한 준비에 나선 것입니다.
최근 평택 P4에 신규 D램 라인을 만들고 원시 디램 양산용 설비 투자를 진행했습니다. 지금까지는 파일럿, 즉 시생산 라인에서만 제조했는데, 이제 본격적인 양산 준비에 들어가는 것입니다. 그래서 램리서치 같은 주요 장비 업체의 설비가 내년 1분기부터 반입될 예정입니다. 내년 1분기라고 해도 한 달도 남지 않았습니다.
당장의 투자 규모는 전체 D램 생산 대비 크지 않은 수준이 맞습니다. 그러나 삼성전자 안팎에서 추가 투자에 대한 논의도 진행되고 있다고 알려졌습니다. 인력뿐 아니라 설비도 그렇습니다. 삼성전자가 내년 2월쯤 원시 디램 양산용 설비 도입을 본격적으로 시작할 것으로 보이는데, 제가 보기에는 조금 더 빨라질 것 같습니다. 추가 투자는 원시 디램의 수율 안정화가 어느 정도 이뤄진 뒤 본격적으로 나오지 않을까 싶습니다. 원시 디램은 차세대 HBM4 공급 경쟁에서 매우 큰 의미를 가지기 때문에, 삼성전자가 이 부분에 사활을 걸고 있는 것 같습니다.
원래 삼성전자는 HBM3까지 1a 공정을 썼습니다. 1a에서 바로 원시로 건너뛰는 것입니다. SK하이닉스와 마이크론은 1b를 쓰는 HBM4를 준비하고 있는데, 삼성은 원시 디램으로 HBM4에서 확실하게 앞서겠다는 것입니다. 어쨌든 원시 디램 채택은 확정됐습니다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 메모리이고, 코다이 역할을 하는 D램의 성능이 HBM 성능에 큰 영향을 미칩니다. 그래서 삼성전자가 HBM4에 원시 디램을 성공적으로 적용한다면, 차세대 HBM 시장에서 주도권을 되찾을 수 있는 가장 중요한 열쇠가 될 것입니다.
다만 삼성전자가 원시 디램과 HBM4를 성공적으로 양산할 수 있을지는 아직 판단하기 이릅니다. 수율이 무엇보다 중요합니다. 한마디로 정리하면, 삼성전자가 지금 모든 역량을 원시 디램과 HBM4 베이스 다이에 쏟아붓고 있다고 이해하시면 될 것 같습니다.
이상 여러분의 백만장자였습니다. 사랑합니다.
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