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네. 다음 소식은 삼성전자의 HBM4 입지 강화에 대해서 들려 드리도록 하겠습니다. 차세대 인공지능 반도체 경쟁의 핵심으로 떠오른 HBM4 즉 6세대 고대역 메모리 시장에서 판도가 바뀌고 있다고 하는데요. 관련 내용 더 자세히 알아보겠습니다. 세계 3대 메모리 반도체 업체 가운데 한 축을 담당하는 미국의 마이크론이 NBDI의 까다로운 성능 요구를 충족하지 못해 어려움을 겪고 있는 반면 삼성전자는 반사 이익을 누리면서 내년 시장 입지를 확대할 것이다라는 전망이 나오고 있습니다. 14일 반도체 업계 취재를 종합하면 엔비디아가 최근 HBM4의 데이터 전송 속도 기준을 상향 조정하면서 마이크론이 진땀을 빼고 있다라는 분석이 제기됐습니다.
엔비디아는 기존 9G비/세컨드 즉 9pbs에서 10G bps로 요구 수준을 높혔습니다.이 과정에서 마이크론이 자체 디램 공정으로 제작한 로직 다이가 성능 기준을 맞추지 못하는 것으로 보입니다. HBM4는 기존 세대와 구조적으로 다릅니다. 제품의 가장 밑단 즉 베이스 다이에 단순한 연결 기능 대신 로직 기반의 베이스 다이 로직 다이가 들어갑니다. 로직 다이는 HBM과 GPU를 직접 연결하며 고객 요구에 맞게 맞춤형 설계가 필요합니다.이 때문에 최첨단 파운드리 공정이 활용이 되기도 하는데요. 삼성전자는 자체 4노 공정을 활용해 로직 다일을 제작하고 SK닉스는 TSMC의 12n노 공정을 사용합니다.
하지만 마이크로는 파운드리에 맡기지 않고 자체 디램 공정으로 로직 다일을 만들어 왔습니다.이 방식은 전력 효율에 집중하는 데는 유리했지만 엔비디아가 요구하는 고성능을 충족하기에는 한계가 드러난 것으로 평가됩니다. 실제로 유럽 증권사 UBS는 마이크로는 여전히 로직 다이에 내부 디램 공정을 적용하고 있다며 엔비디아의 새 요구 조건에 맞게 추가적인 조정이 필요할 수 있다라고 지적했습니다. 국내 KB 증권 역시 마이크론이 개발 초기부터 전력 효율 위주로 HBM4를 설계한 것으로 보인다며 앞으로 엔비디아 공급에 차질이 있을 것이다라고 분석했습니다.
반면 삼성전자는 앞선 공정 기술을 무기로 입질를 확대할 전망인데요. 삼성은 경쟁사보다 한 세대 진화한 6세대 1시 디램 공정을 적용해서 HBM4를 제작합니다. SK이닉스와 마이크론이 아직 5세대 1비 공정을 사용하는 것과는 대조적입니다. 세대가 높일수록 성능과 전력 효율이 동시에 향상되는만큼 삼성은 엔비디아 요구 조건을 충족할 가능성이 크다라는 평가가 지배적입니다. 홍콩 GF 증권 제프 연구원은 최근 보고서에서 삼성전자의 일시 공정 수율이 이미 70%를 넘어섰고 또 엔비디아의 HBM4 인증을 받을 가능성이 높다며 빠르면 2026년 1월 인증이 이루질 것이다라고 전망했습니다.
삼성전자는 공급 학대를 위한 준비에도 속도를 내고 있습니다. 내년 상반기까지 경기도 평택 제4 캠퍼스 P4라인에 C딜램 공정 생산 설비 투자를 마무리할 계획이고요. 또 기존 P3 공장 역시 HBN4 생산 전환이 논의되고 있습니다. 특히 내년 하반기 출시 예정인 엔비디아 차세대 AI 반도체 루빈 탑재 시점에 맞춰 생산 능력을 확보한다라는 전략인데요. 중국 CLSA 증권은 평택 P4 시설이 올해 하반기부터 월 5만 개의 예시 디램 생산 능력을 갖출 것이다라고 내답았습니다. 이에 비해 마이크론의 HBM 투자는 이미 속도 조절에 들어간 것으로 파악되고 있습니다.
GF 증권은 마이크론이 엔비디아의 성능 조건을 충족하기 어렵다라는 판단 아래 일부 HBM 투자를 지원시키고 있다고 전했는데요. 마이크로는 현재 미국 뉴욕과 아이다호의 300억 원 달러. 우리 돈 약 40조원을 들여 디램과 HBM 생산 시설을 건설 중이지만 성능 경쟁에 뒤쳐질 경우 투자 효과를 제때 거두기 어려울 것이다라는 지적이 나옵니다. 여기서 궁금해하실 질문들 정리해 보겠습니다. HBM4에서 로직 다이가 중요한 이유가 뭘까요? HBM4부터는 기존 베이스 다이 대신에 로직 다이를 사용합니다. 로직 다이는 메모리 컨트롤러 기능을 수행을 하고요.이 GPU와 HBM을 연결하는 핵심 칩인데요.
고객사의 성능 요구에 맞게 맞춤 제작됩니다. 첨단 파운더리 공정을 활용해야 하니까이 성능과 전력 효율을 동시에 충족시키는게 매우 중요합니다. 왜 마이크로는 HBM4 성능 요구를 충족하는데 어려움을 겪나요? 마이크로는 로직 다이를 자체 디램 공정으로 제작하고 있고 또 전력 효율에 집중한 설계 방식을 적용했습니다. 반면 엔비디아는 데이터 전송 속도를 기존 9g 9G bps에서 10Gbps로 높혔고 또 첨단 공정 기반의 맞춤형 로직 다를 요구합니다.이 때문에 마이크로는 성능 요구를 맞추는데 어려움을 겪고 있습니다. 엔비디아의 차세대 GPU 루빈이 가장 먼저 HBM4를 공급받을 가능성이 큰 곳은 SK하이닉스.
그에이어서 삼성전자와 마이크론이 두 번째 공급사 자리를 두고 경쟁하는 구도였는데요. 최근 흐름을 보면 마이크론이 뒤쳐지고 삼성전자가 반사익을 얻으면서 비비디아 내 입질를 확대할 가능성이 커지고 있습니다. 엔비디아의 선택은 단순히 한 기업의 실적을 넘어서 글로벌 AI 반도체 경쟁 구도를 좌우할 수가 있겠죠. 삼성과 SK닉스가 주도하는 한국 메모리 반도체 위상이 또 한번 확인될지 저희와 함께 앞으로도 관련 내용 체크해 보겠습니다.
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